Lithographie par faisceau d'électrons

Équipement Semi-conducteur

Grande gamme d'outils e-beam,
pour les masques, la lithographie écriture directe,
aussi bien pour les gros volumes de production
que pour la recherche avancée et le développement.

JBX-3050MV
JBX-3050MVJBX-3050MV
The JBX-3050MV series is an electron beam lithography system for mask/reticle fabrication that meets the design rule of 45 to 32 nm. This system features pattern writing with high speed, high accuracy and high reliability, achieved by high-end technology.
Exposure Method Vector scan, Variable shaped beam
Accelerating Voltage 50 kV
Electron Gun Emitter LaB6 single crystal
Pattan </= ± 4 nm (3δ)
Writing Position Accuracy </= ± 10 nm