MEB-FIB à double colonne

FIB et MEB-FIB à double colonne

La source ionique est combinée avec un canon à émission de champ pour le JIB-4700F.

JIB-4700F MultiBeam à double colonne : MEB FEG-FIB
JIB-4700F - MEB FIB à double colonne

La demande pour des appareils permettant de révéler la complexité des nanomatériaux dans leur structure 3D à conduit JEOL à développer ce nouveau multibeam : JIB-4700F. Les axes de développement se sont concentrés autour de la préparation rapide de lames MET, de l’analyse 3D de la nano-structure de tout type de matériaux et de l’érosion de formes géométriques variables.

Le JIB-4700F possède une lentille objectif ultra-conique permettant d’atteindre une résolution de 1,6 nm à 1 keV (résolution calculée par séparation de deux particules d’or : ‘gap method’ par opposition à ‘edge method’). Grâce au canon FEG IN-LENS (brevet JEOL), des courants très importants (300 nA avec une image à la clé !) dans une petite taille de sonde permettent d’explorer les limites spatiales de L’EDS et de l’EBSD en 3D. La nouvelle colonne FIB à ions gallium permet de focaliser une sonde, avec un courant allant jusqu’à 90 nA, pour les procédés ultra-rapide de fabrication ionique de piliers ou de lames minces.

Le dernier axe de développement est la robustesse de ce FIB. En effet, son design a été optimisé pour garantir une stabilité et une fiabilité accrues lors des procédés FIB & MEB.

CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
1. Tomographie 3D en imagerie chimique (BEI, EDS, EBSD).
2. Haute résolution en imagerie FIB et MEB.
3. Très fort courant pour acquisition rapide de données en FIB et en MEB, pas de compromis !
4. Détection simultanée.
5. Polyvalent : EDS, EBSD, CRYO, cellule de transfert pour échantillons sensibles à l’air.
6. Préparation automatique de lames minces pour le MET.

[ FIB (Focused Ion Beam) ]

Source ionique
Ga liquid metal ion source
Tension d'accélération
de 1 à 30 kV
Grandissement de 50x à 1 000 000x
Résolution 4 nm
Courant de faisceau
jusqu’à 90 nA

[ MEB FEG]

Tension d'accélération de 0,1 keV à 30 keV
Grandissement
de 20x à 1 000 000x
Résolution 1,6 nm (1 keV) Gap method
Courant de faisceau
de 1 pA à > 400 nA
Platine X: 50 mm; Y: 50 mm; Z: De 1.5 à 41 mm; T: -5 to 70°; R: 360°