Le FIB est à l’origine une technique de préparation d’échantillons TEM permettant de couper et préparer un échantillon par faisceau d’ions gallium (Ga). Une région cible sélectionnée sur l’échantillon peut être amincie jusqu’à la forme souhaitée tout en surveillant et en contrôlant la région polie par imagerie MEB. Cette technique est particulièrement indispensable pour l’analyse des défaillances dans le semi-conducteur.
La procédure d’abrasion FIB est la suivante :
Tout d’abord, la surface de la région cible est recouverte d’un dépôt protecteur de platine ou de carbone dans le FIB afin d’éviter l’érosion de la région cible (Fig. (a)).
puis, la région cible est polie avec un faisceau d’ions Ga à tension d’accélération élevée, environ 30 kV, pour préparer une section de quelques μm ou moins. Des cavités sont creusées tout autour de l’échantillon de manière à rendre le prélèvement plus facile. (Fig. (b)). la section préparée est ensuite prélevée et fixée sur une grille d’échantillon TEM (Fig. (c)). Enfin, l’échantillon fixé est amincit avec le faisceau d’ions Ga à plus faible tension d’accélération = environ 5 kV (pour réduire les dommages à l’échantillon) et créer une section mince d’une épaisseur de 10 à 100 nm (Fig. (d)). Si des couches endommagées par l’irradiation des ions Ga subsistent, elles peuvent être éliminées par un polissage complémentaire à une tension d’accélération plus faible (3 kV ou moins) ou avec un faisceau d’ions argon (Ar).
