Préparer des échantillons pour microscope électronique à balayage (MEB), microsonde de Castaings (EPMA) ou FIB
Le polisseur ionique IB 19520CCP (Cryo Cross Section Polisher) permet de préparer tous types d’échantillons sensibles à l’air.
Coupe d’un échantillon de batterie lithium en imagerie secondaire avec le mode cryogénique avec et sans boitier de transfert sous vide.
L’échantillon est préparé sous atmosphère contrôlée puis transféré dans le polisseur ionique afin de procéder à la découpe ou au polissage ionique.
Une fois le procédé ionique terminé, il est possible de déposer un film de carbone sur l’échantillon directement dans la chambre du CCP pour protéger sa surface et la rendre conductrice. À la fin de la préparation, l’échantillon est transporté dans un boitier de transfert (à l’abri de l’air pour éviter le phénomène d’oxydation) depuis le Cross section Polisher vers un microscope électronique à balayage (MEB), une microsonde ou un FIB JEOL, pour l’observation et l’analyse.
Le modèle IB-19520CCP possède un mode cryogénique pour les échantillons nécessitant un refroidissement à la température de l’azote liquide. Il est possible de moduler la température selon les échantillons.
Exemple de la bande élastique
- À température ambiante on observe des dommages thermiques.
- Refroidi à 120°C, on observe des phénomènes de « shrinking » lié à la température.
- Refroidi à 70°C, on n’observe aucune altération de la surface. On arrive même à mettre en évidence les inclusions.
Des équipements complémentaires, pour le polissage de grande surface par exemple, sont également disponibles.
Veuillez contacter nos services sales@jeol.fr pour de plus amples informations sur la façon dont l’échantillon est refroidi et réchauffé, sur le système de transfert sous vide, sur la tension d’accélération des ions, sur le calcul de la vitesse d’érosion ou toutes autres questions sur nos équipements.
Applications
Effet du refroidissement
Normal milling (without cooling)
Accelerating voltage 4kV
Cooled milling (holder temperature -120℃)
Accelerating voltage 4kV
En utilisant le contrôle de température (option)
Échantillon : Wafer de Si
Normal milling
Polissage à T°C ambiante
Cooling
refroidi à -150°C
Cooling temperature control
contrôle de la température à -20°C
Il apparaît qu’à température ambiante l’agent de liaison est déformé par la chaleur, à -150°C un vide apparaît à l’interface, lorsque la température est contrôlée à -20° il n’y a pas d’artefact.
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